专利成果
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2019年度实验室发明专利授权情况

发布日期:2020-12-01     点击量:
序号
专利号
专利名称
授权公告日
专利类别
国别 发明人
1 ZL201610799873.2 一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜 2019-01-15 发明 中国 许福军、沈波
2 ZL201611064839.7 一种二维通道结构及其制备方法 2019-01-15 发明 中国 王新强、沈波
3 ZL201910197270.9 高次谐波真空紫外光源与超高真空仪器的互联装置与方法 2019-03-15 发明 中国 吴成印邓勇开
4 ZL201510930985.2 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 2019-04-02 发明 中国 朱瑞龚旗煌
5 ZL201611055447.4 一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法 2019-04-02 发明 中国 王新强沈波
6 ZL201610339764.2 一种表面等离激元滤波器 2019-05-10 发明 中国 张家森
7 ZL201610816566.0 一种表面等离激元陷波滤波器 2019-05-10 发明 中国 张家森
8 ZL201610246740.2 一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法 2019-05-14 发明 中国 王新强许福军沈波
9 ZL201610412679.4 一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法 2019-05-14 发明 中国 秦国刚徐万劲
10 ZL201610420343.2 一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法 2019-05-14 发明 中国 秦国刚徐万劲
11 ZL201710070951.X 一种外延生长铁钇石榴石纳米薄膜的方法 2019-05-21 发明 中国 杨金波
12 ZL201510294085.3 一种GaN衬底的制备方法 2019-07-19 发明 中国 于彤军吴洁君
13 ZL201710216916.4 光热差分显微成像装置及单个粒子成像方法 2019-07-19 发明 中国 方哲宇
14 ZL201711098497.5 一种近远场集成平面光学调控器件及其设计和制备方法 2019-07-19 发明 中国 方哲宇
15 ZL201710933104.1 一种等离激元衬底及其制备和应用 2019-08-13 发明 中国 方哲宇
16 ZL201710093637.3 一种等离子体激活掺杂装置 2019-09-13 发明 中国 徐万劲秦国刚
17 ZL201810318811.4 一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用 2019-09-13 发明 中国 朱瑞龚旗煌
18 ZL201610029676.2 一种钙钛矿薄膜的快速制备方法及其应用 2019-11-01 发明 中国 朱瑞龚旗煌
19 ZL201710773062.X 一种单颗粒表面等离激元电光调制器及其制备方法 2019-11-01 发明 中国 方哲宇
20 ZL201811248128.4 一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法 2019-11-01 发明 中国 王新强沈波
21 ZL201820951938.5 一种新型电磁波吸收材料及其制备方法 2019-12-03 发明 中国 杨金波
22 ZL201510977322.6 一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法 2019-12-13 发明 中国 秦国刚徐万劲
23 ZL201510994328.4 一种室温环境中激励硅中非金属原子扩散的方法 2019-12-13 发明 中国 秦国刚徐万劲

 

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