获得专利（发明专利5项，实用新型专利2项，共7项）

1. 发明人：张伯蕊、刘仕峰、秦国刚

专利名称：单晶半导体纳米线的生长装置及其应用

授权专利号：ZL 2004 1 0038099.0

2. 发明人：康香宁、胡晓东、王琦、章蓓、陈志忠、于彤军、杨志坚、徐科、秦志新、张国义

专利名称：自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法

专利号：ZL200510011195.0

申请日：2005年1月18日

授权日：2007年11月28日

3. 发明人：陈志忠，张国义

专利名称：一种倒装LED芯片的封装方法

专利号：200410098902X

授权日：2007年12月7日

4. 发明人：陈志忠，张国义

专利名称：在金属热沉上的激光剥离功率型LED芯片及其制备方法

专利号：2004100098415

授权日：2007年12月14日

5. 发明人：胡小永，龚旗煌

专利名称：基于二维光子晶体的光二极管及其制备方法

专利号：ZL200510002913.8

授权日：2007年11月14日

申请专利

1. 发明人：霍海滨、戴伦、秦国刚、杨卫全、马仁敏

专利名称：一种制备硅纳米线的方法

专利号：200710175600.1

2. 发明人：章蓓，代涛，徐军

专利名称：一种制备二维光子晶体或光子准晶的方法

申请号：200710063105.1

3. 发明人：陈志忠，张国义

专利名称：一种Mg掺杂GaN基材料的激活方法

（2007年申请）

4. 发明人：王彦杰、胡晓东、胡成余、张国义

专利名称：一种p型氮化镓的表面处理方法

申请日：2007年6月27日

申请号：200710123092.2

5. 发明人：李睿，胡晓东，徐科，代涛，陈伟华，胡成余，包魁，王彦杰， 张国义

专利名称：一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法

申请日：2007年9月5日

申请号：200710121505.3

6. 发明人：江萍，丁程远，胡小永，王树峰，杨宏，龚旗煌

专利名称：降低全光开关泵浦功率的方法、全光开关及其制备方法

申请日期：2007年5月18日

申请号：200710099383.2

7. 发明人：陈志坚，兰智豪，王紫瑶，龚旗煌

专利名称：一种提高有机电致发光器件出光效率的方法及相应的器件

申请号：200710098813.9

8. 发明人：陈志坚，郑远，陆稼书，龚旗煌

专利名称：转换光信号的方法、红外探测器及其制备方法

申请号： 200710119651.2,

9. 发明人：王树峰，李锋铭，杨宏，龚旗煌

专利名称：一种对种子光信号进行超快时间分辨测量的方法及装置

专利申请号：200710064563.7。