专利成果
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2007年申请和获得专利目录

发布日期:2020-03-13     点击量:

获得专利(发明专利5项,实用新型专利2项,共7项)

1. 发明人:张伯蕊、刘仕峰、秦国刚

专利名称:单晶半导体纳米线的生长装置及其应用

授权专利号:ZL 2004 1 0038099.0

2. 发明人:康香宁、胡晓东、王琦、章蓓、陈志忠、于彤军、杨志坚、徐科、秦志新、张国义

专利名称:自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法

专利号:ZL200510011195.0

申请日:2005年1月18日

授权日:2007年11月28日

3. 发明人:陈志忠,张国义

专利名称:一种倒装LED芯片的封装方法

专利号:200410098902X

授权日:2007年12月7日

4. 发明人:陈志忠,张国义

专利名称:在金属热沉上的激光剥离功率型LED芯片及其制备方法

专利号:2004100098415

授权日:2007年12月14日

5. 发明人:胡小永,龚旗煌

专利名称:基于二维光子晶体的光二极管及其制备方法

专利号:ZL200510002913.8

授权日:2007年11月14日

申请专利

1. 发明人:霍海滨、戴伦、秦国刚、杨卫全、马仁敏

专利名称:一种制备硅纳米线的方法

专利号:200710175600.1

2. 发明人:章蓓,代涛,徐军

专利名称:一种制备二维光子晶体或光子准晶的方法

申请号:200710063105.1

3. 发明人:陈志忠,张国义

专利名称:一种Mg掺杂GaN基材料的激活方法

(2007年申请)

4. 发明人:王彦杰、胡晓东、胡成余、张国义

专利名称:一种p型氮化镓的表面处理方法

申请日:2007年6月27日

申请号:200710123092.2

5. 发明人:李睿,胡晓东,徐科,代涛,陈伟华,胡成余,包魁,王彦杰, 张国义

专利名称:一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法

申请日:2007年9月5日

申请号:200710121505.3

6. 发明人:江萍,丁程远,胡小永,王树峰,杨宏,龚旗煌

专利名称:降低全光开关泵浦功率的方法、全光开关及其制备方法

申请日期:2007年5月18日

申请号:200710099383.2

7. 发明人:陈志坚,兰智豪,王紫瑶,龚旗煌

专利名称:一种提高有机电致发光器件出光效率的方法及相应的器件

申请号:200710098813.9

8. 发明人:陈志坚,郑远,陆稼书,龚旗煌

专利名称:转换光信号的方法、红外探测器及其制备方法

申请号: 200710119651.2,

9. 发明人:王树峰,李锋铭,杨宏,龚旗煌

专利名称:一种对种子光信号进行超快时间分辨测量的方法及装置

专利申请号:200710064563.7。

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