2020年度实验室发明专利授权情况-北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室

2020年度实验室发明专利授权情况

发布日期：2022-03-30　　　　点击量：

序号	专利号	专利名称	专利类别	授权公告日	国家	发明人(固定成员)
1	ZL201910283426.5	一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法	发明	2020-12-29	中国	刘开辉
2	ZL201611234778.4	一种具有替代原子调制特性的电磁波吸收材料及其制备方法	发明	2020-12-25	中国	杨金波
3	ZL201811609484.4	一种NbSe₂单晶层状纳米片的合成装置及其合成方法	发明	2020-11-27	中国	廖志敏、俞大鹏
4	ZL201810040236.6	一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法	发明	2020-11-27	中国	刘开辉
5	ZL201910504881.3	一种基于石墨烯/ZnO纳米线/p-GaN薄膜的LED点光源及其制备方法	发明	2020-11-03	中国	廖志敏
6	ZL201811497178.6	一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法	发明	2020-11-03	中国	刘开辉、俞大鹏
7	ZL201910171877.X	一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法	发明	2020-10-09	中国	刘开辉、俞大鹏
8	ZL201911240265.8	一种基于能带反转光场限制效应的拓扑体态激光器及方法	发明	2020-10-09	中国	马仁敏
9	ZL201910193734.9	一种基于光学三倍频测量二维材料三阶非线性光弹张量的装置及方法	发明	2020-09-22	中国	刘开辉、俞大鹏
10	ZL201811514047.4	一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法	发明	2020-09-08	中国	刘开辉、俞大鹏
11	ZL201810257305.9	一种微米LED芯片内互联的实现方法	发明	2020-09-08	中国	陈志忠、康香宁、于彤军、沈波
12	ZL201910491149.7	一种利用石墨烯阻挡层制备氮化物垂直结构LED的方法	发明	2020-09-08	中国	王新强、沈波、吴洁君
13	ZL201810233438.2	一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置	发明	2020-09-08	中国	俞大鹏、刘开辉
14	ZL201810715485.0	一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法	发明	2020-09-08	中国	杨学林、沈波、刘开辉、许福军、王新强、唐宁
15	ZL201810493951.5	一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法	发明	2020-09-08	中国	俞大鹏、刘开辉
16	ZL201910437786.6	一种测量弱磁性La_1-xSr_xMnO₃外延薄膜层状磁结构的方法	发明	2020-09-08	中国	杨金波
17	ZL201810257196.0	一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法	发明	2020-09-08	中国	康香宁、陈志忠、于彤军、沈波
18	ZL201811266665.1	一种大注入倒装微米LED芯片及其制备方法	发明	2020-08-25	中国	陈志忠、康香宁、沈波
19	ZL201910608697.3	一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法	发明	2020-07-28	中国	王新强、沈波
20	ZL201910299136.X	一种拓扑场效应晶体管及其实现方法	发明	2020-07-28	中国	廖志敏、俞大鹏
21	ZL201910194330.1	一种基于光学三倍频的测量二维材料中应变张量的装置及方法	发明	2020-07-28	中国	刘开辉、俞大鹏
22	ZL201811558523.2	大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用	发明	2020-07-28	中国	叶堉、戴伦
23	ZL201811196690.7	一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法	发明	2020-06-26	中国	于彤军、吴洁君、沈波
24	ZL201611087469.9	一种In_xAl_yGa₁_-x_-yN/GaN异质结构及其外延方法	发明	2020-06-26	中国	杨学林、沈波
25	ZL201811330967.0	一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法	发明	2020-06-26	中国	王新强、刘放、沈波、吴洁君
26	ZL201711171129.9	一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及方法	发明	2020-06-26	中国	吴洁君、于彤军
27	ZL201910772548.0	一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法	发明	2020-06-09	中国	刘开辉
28	ZL201910772550.8	一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法	发明	2020-06-09	中国	刘开辉
29	ZL201711384239.3	一种快速标定金属晶面的方法	发明	2020-06-02	中国	俞大鹏、刘开辉
30	ZL201810493954.9	一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法	发明	2020-06-02	中国	俞大鹏、刘开辉
31	ZL201811358362.2	化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法	发明	2020-05-05	中国	杨学林、沈波、许福军、唐宁、王新强
32	ZL201910521339.9	同时在近远场双通道生成涡旋光场的平面光学器件及其设计和制备	发明	2020-05-05	中国	方哲宇
33	ZL201810676430.3	一种测量一维材料复极化率的装置及方法	发明	2020-05-05	中国	刘开辉
34	ZL201811166401.9	一种超净界面异质结的制备方法及应用	发明	2020-04-03	中国	刘开辉
35	ZL201710278012.4	一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置	发明	2020-02-11	中国	俞大鹏、刘开辉
36	ZL201710385970.1	一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用	发明	2020-02-11	中国	戴伦、叶堉
37	ZL201710020397.4	一种大尺寸单晶铜箔的制备方法	发明	2020-01-21	中国	俞大鹏、刘开辉
38	ZL201711120075.3	一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法	发明	2020-01-07	中国	王新强、沈波
39	ZL201711025682.1	一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法	发明	2020-01-07	中国	王新强、沈波
40	ZL202010171110.X	基于微镜阵列的单物镜光片荧光显微成像装置及方法	发明	2020-12-22	中国	施可彬、杨宏
41	ZL202010069141.4	一种基于GB-STED的深层超分辨激光直写系统及其实现方法	发明	2020-11-27	中国	施可彬、杨宏、龚旗煌
42	ZL201810238271.9	一种基于片上密集型波导的纳米颗粒传感器及其传感方法	发明	2020-10-09	中国	肖云峰、龚旗煌
43	ZL201711275182.3	一种基于径向偏振光束的手性和频产生显微镜及成像方法	发明	2020-06-02	中国	施可彬、杨宏、龚旗煌
44	ZL201810318916.X	基于联硼化合物修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法	发明	2020-02-11	中国	朱瑞、龚旗煌

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