申请及授权专利

1. 发明人：张国义，陈志涛，苏月永，杨志坚，杨学林，沈波

专利名称：制备GaN基稀磁半导体材料的方法

专利申请号：200610001301.

2. 发明人：张国义，康香宁，吴洁君，赵璐冰，童玉珍 杨志坚

专利名称：一种制备氮化镓单晶衬底的方法

专利申请号：200610144316.3

3. 发明人：祁山，于彤军，秦志新，张国义

专利名称：无支架的半导体发光二极管

专利申请号：200610113056.3

4. 发明人：张家森，杨景，龚旗煌

专利名称：近场光纤探针及其制备方法

专利申请号：200610058714.3.