2019年元月8日，国家科学技术奖励大会在北京隆重举行。北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心的“氮化物半导体大失配异质外延技术”成果获得2018年度国家技术发明二等奖，获奖人为沈波、康凯、王新强、童玉珍、陈志忠和付星星。

氮化物宽禁带半导体是实现短波长发光器件和高频大功率电子器件的核心半导体体系，在半导体照明、新一代移动通讯、国防军工等领域有重大应用，是全球高技术竞争的关键领域。氮化物半导体外延制备是器件和系统的基础和核心技术。该成果在863、973、基金委等国家和地方科技计划的持续支持下，围绕氮化物半导体大失配异质外延的缺陷和应力控制这一重大问题开展了系统研究，发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法，制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料，建立了较为完善的氮化物半导体大失配异质外延技术体系，并实现了产业化应用。该成果得到了国际同行的高度评价，包括诺贝尔奖获得者在内的多位国际知名学者进行了引用或评价。经中国电子学会鉴定认为“该项目成果技术创新特色突出，关键技术达到国际领先水平”。

该成果由北京大学牵头，联合与北京大学长期合作的东莞市中图半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司共同获得。北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授、甘子钊院士、许福军副教授等也对该项成果做出了重要贡献。北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室对该项工作给予了长期的大力支持和资助。