报告题目: 半导体发展趋势与碳基电子技术的机遇与挑战

报告摘要：面向后摩尔时代，北京大学于1999年组建了碳基纳电子材料与器件研究团队。经 过近二十年的努力，该团队在碳基电子器件的研究中取得系列突破，基本解决ITRS给出的挑战，发展了一整套碳管CMOS集成电路和光电器件的制备新技术，使其成为下一代信息处理技术强有力的 竞争者；以放弃掺杂，通过电极选择性注入电子或空穴，实现晶体管极性的控制，并首次制备出高 性能对称碳管CMOS电路。2017年，基于碳管首次实现了栅长为5纳米的CMOS器件，证明器件在 本征性能和功耗综合指标上，相对硅基器件具有10倍以上的综合优势，并接近由量子测不准原理决 定的电子器件理论极限。上述工作在2015年被Nature Index China选做北京的代表性创新工作之一 ，称其“代表着计算机处理器的未来”；2017年被选为封面文章在《中国的蓝芯未来》中重点报道。 《人民日报》（海外版）在《中国芯走出自强路》专文中评价团队的碳管晶体管工作是“中国信息科 技发展的一座新里程碑”。

报告人简介：彭练矛，北京大学教授。1982年毕业于北京大学无线电电子学系 ，1983年入选CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心师从J.M. Cowley教授, 1988年获博士学位。1989年人英国牛津大学任M.J. Whelan 教授的研究助手，1990 年被选为牛津大学Glasstone Fellow，国际电子显微学会联合会Presidential Scholar，1994年底回 国并获首届国家杰出青年科学基金资助。1999年被聘为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授， 2019年当选中国科学院院士。研究领域为纳米结构、物性和器件。四次担任国家973计划和重点研 发计划项目首席科学家，发表论文400余篇，被引20000余次，相关工作分获2010年度和2016年度 国家自然科学二等奖，2000年度和2017年度“中国高等学校十大科技进展” ，2000年度“中国基础科 学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展” ，全国科技创中心2018 年度重大标志性原创成果 ；13次被写入《国际半导体技术发展路线图》，为我国在高技术领域抢占一席之地做出了重大贡 献。

主持联系人: 沈波 bshen@pku.edu.cn