报告题目: 宽禁带氧化物半导体光电材料及应用

报告摘要：宽禁带半导体氧化锌（ZnO）作为第三代材料在信息时代发挥重要作用。因ZnO性能独特 ，将在紫外发光、透明导电等领域应用。叶志镇院士在ZnO等方面做出创新工作： 1. ZnO紫外发光：提出ZnO的p型掺杂“二元共掺”思路，揭示掺杂新机制，共掺形成双替位受主复合体，减 小受主形成能和离化能，将国际空穴浓度水平提高2个数量级达1018cm-3，稳定性提高5倍。制备 ZnO/Zn0.9Mg0.1O多量子阱室温内量子效率达61%，水平国际领先。 2. 2. ZnO透明电子技术与应用：创新发展n-ZnO铝掺杂技术，探明掺杂规律实现高导电，率先实现产业应 用，产生重大效益。 3. 钙钛矿发光及显示：首次提出并证实钙钛矿的激子发光机制，发明Li掺杂和低维结构提高光效的技术， LED器件3次刷新光效世界纪录。探明不稳定机理，稳定性提高至10个月，为新型显示提供技术。

报告人简介：叶志镇，半导体光电薄膜材料专家。于1982年、1984年、1987年在浙江大 学获学士、硕士和博士学位。1988年进入浙大材料系硅材料国家重点实验室工作，1990-1992年美国MIT访 问学者，1994年晋升教授。2006年入选首批浙大求是特聘教授，2008年评为浙江省特级专家。曾任浙大硅 材料国家重点实验室主任、材料与化工学院副院长、材料科学与工程学系主任。现任浙大材料学院学术委 员会主任。2019年当选为中国科学院院士。 潜心研究宽禁带半导体氧化锌等无机光电材料及关键技术30年，提出p-ZnO二元共掺原理与方法，实 现高效p型掺杂与室温电致发光的重要突破；基于n-ZnO铝掺杂技术，制备高导电透明电极材料并实现产业 应用；在光电氧化锌材料研究方面具有重要的国际影响力。发表学术论文600余篇，SCI总引用20000余次 ，连续6年入选Elsevier“中国高被引学者”；出版著作5部；授权发明专利120余件；获科技奖10余项，其中 国家自然科学二等奖1项、省部科技一等奖4项，二等奖4项。1994年被评为国家重点实验室全国先进工作 者，获“金牛奖”；1996年入选教育部“跨世纪优秀人才”；1997年入选国家“百千万人才工程”；2008年、 2010年2次获中国百篇优秀博士论文提名奖指导教师；201 4年被评为全国优秀教师，获浙江省高校教学成 果一等奖。

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