2016年第11期（No.374since 2001）

时间：2016年5月12日（星期四）下午 15:00－16:30

Time： 3:00pm, May 12, 2016 (Thursday)

地点：北京大学物理大楼中212教室

Venue： Room 212, Physics Building

题目：非易失存储器

摘要：半导体存储器是集成电路最重要的技术之一，有着巨大的市场。主流的硅基浮栅存储器逐渐面临理论和技术限制，基于新材料、新结构、新原理和新集成架构的新型存储技术成为高密度存储发展的趋势。本报告将介绍电荷俘获存储器（CTM）和阻变存储器（RRAM）这两种新型存储器实现应用所需解决的基本科学问题，以及中科院微电子所在材料、机理、可靠性、集成等方面的研究进展和成果。

报告人： 龙世兵研究员

简介：龙世兵，中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学岗位教授，优秀青年科学基金项目获得者，IEEE会员，中国电子学会高级会员。从事纳米加工和新型非挥发性存储器的研究。发表SCI论文100余篇，SCI他引1500余次，合作撰写著作2本，获得/申请专利100余项。获得2010年北京市科学技术奖一等奖、2013年国家技术发明奖二等奖、2014年北京市科学技术奖二等奖、2015年中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖。

联系教授：廖志敏副教授

Host professor：liaozm@pku.edu.cn