时间：2019年5月30日（星期四）下午 15:00－16:30

地点：北京大学物理楼中212报告厅

题目（Title）： GaN中杂质引入的电场及对其带边光吸收的影响

摘要 (Abstract)

GaN是第三代宽禁带半导体基本材料，其光电性质对于GaN基电子与光电子器件有着决定性的影响。而掺杂对于半导体光电特性的调控具有基础意义。长期以来，人们对于GaN中杂质电离所引入的电场及其效应的深入研究及认知严重不足。在本报告中，我将向大家汇报我们最近在这方面课题研究上的一点进展，包括杂质电场的理论强度及分布，以及对于GaN带边光吸收系数的Franz-Keldysh型调控影响。最后，我将汇报我们的理论计算结果与已有的实验结果的比较等。

报告人 (Speaker)： 徐士杰 教授

报告人简介 (About speaker)：

徐士杰，1993年在西安交通大学电子工程系获得博士学位，现为香港大学物理系终身教授。长期致力于半导体光物理与光电子器件物理研究，在宽禁带半导体及其纳米结构的发光过程与机制的研究上，获得一些较有影响的发现及结果，如氮化镓中的亚稳缺陷态、应力与荧光峰位的线性规律、局域化态分布函数及集体荧光理论模型、“负”热激活能概念、声子介入的多体Fano共振发光等。这些发现和发展在领域内起到了一定的推动和引领作用，所发表论文迄今已被各国学者引用次数超过5800篇次（Google Scholars），被德国著名学者引用到他们的畅销教科书《Semiconductor Optics》第三版、第四版与《The Physics of Semiconductors》第二版、第三版中。曾获得国家自然科学基金委海外杰青项目。

联系人 (Host)： 沈波教授 bshen@pku.edu.cn

凝聚态物理--北京大学论坛2019年第14期（No.464 since 2001）