专利成果
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2000-2004年获得和申请的专利目录

发布日期:2020-03-13     点击量:

获得专利(发明专利5项,实用新型专利2项,共7项)

  1. 发明人:潘新宇、龚旗煌、陈徐宗

    专利名称:短脉冲激光超声精确测厚方法及装置

    专利号:ZL 02100479.X

    专利申请日:2002年2月5日

    受权公告日:2004年2月4日

  2. 发明人:张国义、丁晓民、秦志新

    专利名称:一种制备基于氮化镓发光二极管的方法

    专利号:ZL 00 1 29633.7

    专利申请日:2000年9月29日

    受权公告日:2004年4月28日

  3. 发明人:章蓓、张国义、俞大鹏、栾峰、王大军

    半导体发光二极管及其制备方法

    专利号:ZL 01 1 18325.X

    专利申请日:2001年5月24日

    受权公告日:2004年7月14日

  4. 发明人:张国义、杨志坚、丁晓民、王宇芳、唐英杰、李忠辉

    专利名称:高亮度氮化物白光发光二极管及其准备方法

    专利号:ZL 02 1 00345.9

    专利申请日:2002年1月11日

    受权公告日:2004年7月28日

  5. 发明人:蒋红兵、郭亨长、郭红沧、杨宏、龚旗煌

    专利名称:利用超短激光脉冲制备光栅器件和实现全息存储的方法

    专利号:ZL 02131245.1

    专利申请日:2002年9月19日

    受权公告日:2004年12月29日

  6. 设计人:刘新元,谢飞翔,何东风,马平,杨涛,戴远东,王守证,聂瑞娟,刘乐园

    专利名称:超导量子干涉仪自动控制接口装置

    专利号:ZL 01 2 01054.5

    专利申请日:2001年1月16日

    受权公告日:2002年1月23日

  7. 设计人:张升原,刘新元,谢飞翔,杨涛,马平,聂瑞娟,王福仁,戴远东

    专利名称:超导量子干涉器50Hz工频干扰的消除装置

    专利号:ZL 02 2 85982.9

    专利申请日:2002年11月13日

    受权公告日:2003年11月12日

申请专利(发明专利19项,实用新型专利1项,共20项)

  1. 发明人:戴远东等

    专利名称:一种超导薄膜谐振器

    申请号:01140224.5

    申请日:2001年12月6日

  2. 发明人:胡晓东等

    专利名称:半导体发光二极管单元及其制备方法

    申请号:02100481.1

    申请日:2002年2月5日

  3. 发明人:童玉珍等

    专利名称:一种提高MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片发光强度的方法

    专利申请号:02155061.1

    申请日:2002年12月20日

  4. 发明人:秦志新等

    专利名称:低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的新方法

    申请号:02155062.X,

    申请日:2002年12月20日

  5. 发明人:戴远东,孟树超,刘新元,谢飞翔,李壮志,马平,杨涛,聂瑞娟,王福仁

    专利名称:高温超导射频量子干涉仪的探头

    申请号:03146051.8

    申请日:2003年7月15日

  6. 发明人:张洪洲,孙笑晨,俞大鹏

    专利名称:一种场发射针尖及其制备方法与应用

    申请号:03149784.5

    申请日:2003年8月6日

  7. 发明人:冉广照,张伯蕊,乔永平,戴伦,吕莹,陈晓升,秦国刚

    专利名称:阴极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备

    申请号:03134724.X

    申请日:2003年9月29日

  8. 发明人:俞大鹏,张晔,贾宏博

    专利名称:一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用

    申请号:200310113384.X

    申请日:2003年11月18日

  9. 发明人:秦国刚,陈娓兮,冉广照,乔永平,马国立,徐爱国,吴世康,张伯蕊,戴伦

    专利名称:一种有机电致发光器件及其制备方法

    申请号:200410001060.1

    申请日:2004年1月18日

  10. 发明人:张洪洲,孙笑晨,俞大鹏

    专利名称:一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用

    申请号:200410029905.8

    申请日:2004年3月26日

  11. 发明人:戴伦,张伯蕊,刘仕峰,秦国刚

    专利名称:一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用

    申请号:200410038099.0

    申请日:2004年5月19日

  12. 发明人:秦国刚,冉广照,乔永平,张伯蕊,徐爱国,马国立,陈娓兮

    专利名称:一种顶出光电极及其制备方法

    申请号:200410048076.8

    申请日:2004年6月14日

  13. 发明人:秦国刚,马国立,徐爱国,乔永平,冉广照,张伯蕊,陈娓兮

    专利名称:一种顶出光电极及其制备方法

    申请号:200410056832.1

    申请日:2004年8月23日

  14. 发明人:张国义等

    专利名称:GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法

    申请号:200410009840.0

    申请日:2004年11月23日

  15. 发明人:陈志忠等

    专利名称:在金属热沉上的激光剥离功率型LED芯片及其制备方法

    申请号:200410009841.5

    申请日:2004年11月23日

  16. 发明人:刘振刚、陈志坚、龚旗煌

    专利名称:红光有机发光器件的制备方法

    申请号:200410009973.8

    申请日:2004年12月9日

  17. 发明人:陈志忠等

    专利名称:一种倒装LED芯片的封装方法

    申请号:200410098902.X

    申请日:2004年12月10日

  18. 发明人:张国义等

    专利名称:一种发光二极管及其制备方法

    申请号:200410089599.7

    申请日:2004年12月15日

  19. 发明人:于彤军等

    专利名称:带有二维自然散射出光面的发光二极管芯片的制备方法

    申请号:200410101833.3

    申请日:2004年12月27日

  20. 设计人:刘新元,谢飞翔,戴远东,孟树超,马平,杨涛,聂瑞娟,王福仁

    专利名称:高温超导射频量子干涉仪系统

    申请号:03275753.0

    申请日:2003年7月15日

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