2018年第18期（No.439 since 2001）

时间：2018年10月11日（星期四）下午 15:00－16:30

地点(：北京大学物理楼中212教室

题目（Title）：金刚石半导体的研究

摘要 (Abstract)

金刚石半导体在禁带宽度、击穿场强、迁移率、介电常数、热导率和器件因子方面远远好于其他半导体，被称为“终极半导体”，可用于开发高温、高频、高效、大功率、抗辐照电子器件，将大幅提升电子系统综合性能指标、解决系统小型化、轻量化、可靠性和长寿命，以及环境适应性等诸多瓶颈问题，将带来一次半导体器件的深刻革命。为了实现高端芯片领域的创新性发展，需要建立一套系统化的超宽禁带半导体芯片体系。本报告系统性地介绍金刚石半导体的特性、单晶金刚石外延设备、单晶金刚石克隆技术、英寸级单晶金刚石外延生长、电子器件级高质量薄膜与掺杂、到电子器件开发的国内外发展动态，同时介绍西安交通大学金刚石半导体材料与器件的研究结果。

报告人 (Speaker)： 王宏兴 教授

报告人简介 (About speaker)：

王宏兴：西安交通大学电信学院教授，“国家千人”特聘专家。2001年在日本德岛大学获得博士学位。其后作为高级研究员加入日本Nitride Semiconductor 公司，2004-2008作为执行董事加入了日本Dialight Japan公司，2008-2013作为研发经理加入Seki technotron 公司，于2013年全职加入西安交通大学。主要研究领域为：半导体生长用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及发光器件；大尺寸单晶金刚石及电子器件；量子光源及传感器。多项成果被采纳用于规模化生产。拥有100余项专利，发表文章100余篇。

联系人 (Host)： 于彤军教授 tongjun@pku.edu.cn