2018年第2期（No.423 since 2001）

时间：2018年3月8日（星期四）下午 15:00－16:30

地点(：北京大学物理楼西202报告厅

题目（Title）：半导体性碳纳米管的可控制备、快速表征与应用

摘要 (Abstract)

碳纳米管因为具有化学和物理稳定性好、集成度高、承载电流密度大等优点，被研究者们普遍认为是下一代集成电路产业最有前途的材料之一。然而目前面临的挑战包括：（1）如何可控制备出高纯度的半导体性碳纳米管；（2）如何快速表征其纯度与带隙分布。在本次报告中将介绍我们研究组在该研究方向的一些进展，包括：利用扫描电镜、瑞利散射等方法实现了碳纳米管导电属性、带隙分布、手性指数的快速识别；发现了生长过程中的碳纳米管都自发带有负电荷，并建立了碳纳米管生长过程中电荷产生和转移的模型；进一步利用碳纳米管生长带电的这一特性，发现可通过外加电场控制碳纳米管的生长方向和手性变化，并实现了高纯度半导体性碳纳米管的选择性生长。希望这些努力能够推进碳纳米管基纳米电子学的发展。

报告人 (Speaker)： 姜开利 教授

报告人简介 (About speaker)：

姜开利，清华大学物理系教授，分别于1995、1998、2006年获得清华大学物理系理学学士、硕士、博士学位。1998年留校任教，历任清华大学物理系助教、讲师、副研究员、研究员、教授。2008年获国家杰出青年基金资助，2009年获中国物理学会黄昆奖，2012年受聘为长江学者特聘教授。学术兼职为Nano Research编委。研究工作聚焦在碳纳米管的生长机理、可控合成、物性探索和宏观应用等方面。

联系人 (Host)： 王新强教授wangshi@pku.edu.cn