ZnO和GaN均为光电性质优异的直接带隙宽禁带半导体材料，禁带宽度分别为3.34eV，3.4 eV。基于ZnO，GaN材料的光电器件方面的研究，包括发光二极管，太阳能电池,紫外探测器等，长期以来一直吸引着国内外研究者们的目光。纳米结构的ZnO材料和GaN材料的结合，有望在纳米光电子学，光电子器件等领域发挥重要作用。

近年来，关于n型ZnO与p型GaN异质结在电能转化为光能方面例如发光二极管的研究较多，但对于光能转化为电能方面的研究如光生伏特等现象鲜有报道。最近，俞大鹏研究团队的青年教师廖志敏博士带领研究生别亚青等在ZnO纳米线与GaN形成的异质结的光伏效应以及发光研究方面取得进展。他们通过微加工手段制备了单根ZnO纳米线与GaN的异质结，在紫外激光激发条件下，光伏效应开路电压高达2.7V，短路电流密度4250mA/cm2，最高输出电功率达80nW。变温条件下光伏效应的测试表明，开路电压随温度升高下降呈线性关系，但室温下，不同入射光功率给出的开路电压，短路电流变化趋势均非线性。同时，此器件具有紫外发光二极管的功能。该结果于7月22日发表在《先进材料》（Advanced Materials）的网络版上http://dx.doi.org/10.1002/adma.201000985。

该研究工作得到了国家自然科学基金委、科技部973计划以及介观物理国家重点实验室自主科研项目的大力资助。

“Single ZnO Nanowire/p-type GaN Heterojunctions for Photovoltaic Devices and UV Light Emitting Diodes”, Ya-Qing Bie, Zhi-Min Liao, Peng-Wei Wang, Yang-Bo Zhou, Xiao-Bing Han, Yu Ye, Qing Zhao, Xiao-Song Wu, Lun Dai, Jun Xu, Li-Wen Sang, Jun-Jing Deng, K. Laurent, Y. Leprince-Wang, Da-Peng Yu，Advanced Materials,2010.